تحتوي الذاكرة (DDR3) على الكثير من المزايا التقنية وذلك بالمقارنة بوحدات الذاكرة السابقة. وبالنسبة لعامل استهلاك الكهرباء فقد تقلص ليصل إلى 1.5 فولت فقط فيما ارتفعت السرعة بشكل ملحوظ حيث تتراوح السرعة الحالية لوحدات (DDR3) من 800 ميجاهرتز وحتى 1600 ميجاهرتز. ومن الجدير بالذكر أن وحدة الذاكرة التي تبلغ سعتها 512 ميجابايت والتي عُرضت مؤخرا على الموقع الإلكتروني لشركة (Super Talent) تعتمد على وحدات سامسونج التي لم يتم الإعلان عنها بعد. ومن الناحية المادية فإن الذاكرة (DDR3) تشبه كثيرا الذاكرة (DDR2) فكلا التقنيتان تعتمدان على نظام (Fine-pitch Ball Grid Array) لتجميع الرقائق. كما أن التشابه يشمل التصميم (240-Pin) حيث أن كلتاهما تحتوي على نحو 240 طرف توصيل. ويبدأ الاختلاف بينهما من السن الأوسط الذي يقع في أماكن مختلفة في كلا الرقاقتين. وعلى الرغم من أن مجموعة (JEDEC) ما زالت في حاجة للانتهاء من المواصفات الخاصة بالرقاقة (DDR3) إلا أن التوقعات تشير إلى طرح تلك الرقاقة في منتصف العام الحالي. وتعمل سوبر تالنت بشكل مكثف على النماذج الخاصة بالرقائق (DDR3). يذكر أن تلك النماذج الجديدة التي تعتمد على وحدات سامسونج خضعت للتجريب والاختبار من قبل سوبر تالنت عبر عدد مجموعة من أنظمة الاختبار. وبالنسبة لأول اللوحات الأم التي ستدعم رقائق (DDR3) فمن المتوقع ظهورها مع طرح انتل (Intel) لعائلة منتجاتها من اللوحات الأم (Bearlake) الخاصة بالحاسبات الشخصية. يذكر أن مجموعات الرقائق الجديدة لشركة انتل يمكنها دعم كل من تقنيتي (DDR2) و (DDR3) ولكن لا يمكن استخدام كلتاهما معا في نفس الوقت. وقد أعلنت انتل عن بداية تجريب اللوحات التي ستتوافق مع رقائق (DDR3) ولكنها لم تؤكد بعد مواعيد طرح تلك اللوحات. ومن المتوقع أن تتبني أيه ام دي (AMD) استخدام رقائق (DDR3) مع إطلاقها لمنتجاتها الرباعية النواة. وقد قامت سوبر تالنت بطرح وحداتها من الذاكرة (DDR3) قبل طرح اللوحات الرئيسية التي تدعمها بوقت طويل. وقد تم طرح وحدات الذاكرة في منتصف العام الحالي